Samsung начинает массовое производство 8-Гбит DDR4-чипов, 32-Гбайт DDR4-модулей

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства DDR4-чипов ёмкостью 8 Гбит по технологии 20-нм.
Об этом пишут Новости ИТ со ссылкой на 3D-News.
Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объёмом 32 Гбайт, чьё производство уже началось. В перспективе Samsung сможет создать серверные модули объёмом 128 Гбайт.
Новые 8-Гбит чипы DDR4-памяти Samsung сертифицированы на работу на частотах до 2400 МГц с напряжением питания в 1,2 В, что является наименьшим в индустрии. Хотя 8-Гбит чипы памяти и не будут работать на сверхвысоких частотах, как 4-Гбит варианты, они позволят создавать модули увеличенного объёма, что важно для мощных серверов нового поколения на базе многоядерных процессоров Intel Xeon E5 v3 «Haswell-EP».
Компания Samsung уже начала производство серверных RDIMM объёмом 32 Гбайт на базе новых чипов памяти. Данные модули будут работать на частотах до 2400 МГц, что на 29 % быстрее DDR3 RDIMM-модулей для серверов аналогичного объёма, которые работают на 1866 МГц.